RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 1, страницы 77–82 (Mi qe5312)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Использование разряда по поверхности диэлектрика для предыонизации в эксимерных лазерах

В. Ю. Баранов, В. М. Борисов, А. М. Давидовский, О. Б. Христофоров

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва

Аннотация: Найдены условия получения высокой однородности сильноточного разряда по поверхности плоского диэлектрика, являющегося мощным источником УФ излучения, создающего высокий уровень предварительной ионизации в основном разрядном объеме. Объемный разряд был получен при апертуре до 30 см2 и межэлектродных расстояниях до 10 см. Экспериментально показано, что для достижения высокой эффективности лазера вводимая во вспомогательный разряд энергия должна иметь определенное оптимальное значение. В лазере достигнут уровень генерации 1 Дж при удельном энергосъеме 5,8 Дж/л. При уровне генерации 0,7 Дж полный КПД лазера составил 1,5 %.

УДК: 621.373.029.67

PACS: 42.55.Hq, 52.80.Mg

Поступила в редакцию: 20.05.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:1, 42–45

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024