Аннотация:
Предложен общий метод расчета населенности возбужденного состояния акцепторов при их взаимодействии с донорами энергии с учетом безызлучательных потерь в акцепторной подсистеме для стационарного и импульсного режимов возбуждения при произвольной форме импульса накачки. Изучена временнáя эволюция населенности верхнего лазерного уровня 4F3/2 Nd3+ в кристаллах гадолиний – скандий – галлиевого граната (ГСГГ) с хромом и неодимом с учетом миграции энергии по донорной подсистеме для малых и больших концентраций ионов Nd3+, когда имеет место концентрационное самотушение Nd3+. Получено количественное согласие экспериментальных и расчетных данных, определен выигрыш в населенности уровня 4F3/2 Nd3+ за счет эффекта сенсибилизации свечения ионов Nd3+ ионами Cr3+. С использованием предложенного метода расчета кинетики распада возбужденного состояния акцепторов при их взаимодействии с донорами энергии с учетом безызлучательных потерь в акцепторной подсистеме определены оптимальные концентрации ионов Nd3+ в кристаллах ГСГГ–Cr, Nd для стационарного и импульсного режимов работы лазера.