Полупроводниковый лазер с переходами между магнитоакустическими подзонами

Рассчитаны пороговые характеристики полупроводникового лазера на магнитоакустических переходах. Получены зависимости пороговой концентрации электронов от температуры при различных значениях амплитуды и частоты ультразвука, а также толщины образца.