RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 1, страницы 193–196 (Mi qe5366)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Характеристики канального инжекционного гетеролазера

В. И. Бородулин, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин, В. И. Швейкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Описан канальный инжекционный гетеролазер, в котором активной областью является pn-гомопереход из GaAs (толщина 0,45 мкм), заключенный между эпитаксиальными слоями Ga1-xAlxAs (x ≈ 0,35), так называемый лазер с поперечным pn-переходом. Структура изготовлена на полуизолирующей подложке из GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Пороговый ток равен 30 мА при комнатной температуре, а дифференциальная квантовая эффективность – 65 %. Одномодовая генерация наблюдалась в широком диапазоне токов инжекции при 300 K. Представлены результаты излучательных и динамических свойств таких лазеров.

УДК: 621.382.8

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 13.05.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:1, 113–115

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024