RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1973, номер 5(17), страницы 116–117 (Mi qe5541)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом

П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, Е. П. Никитин


Аннотация: Экспериментально исследована внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом AlxGa1–x–GaAs. Исследована динамика спектра излучения при переходе лазерного диода из режима спонтанного излучения в режим модуляции добротности, при котором диод излучает одиночный световой импульс длительностью ~ 120 псек, совпадающий во времени со спадом импульса тока накачки.

УДК: 621.378.3

PACS: 42.55.Px, 42.60.Gd, 42.60.Jf, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 05.09.1972


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 3:5, 433–434


© МИАН, 2024