О вычислении квазиуровней Ферми и характеристик спонтанного излучения в сильнолегированных полупроводниках

Исследуется зависимость уровня Ферми от концентрации примесей и неравновесных носителей в сильнолегированных полупроводниках и поведение спонтанного излучения в зависимости от степени легирования, накачки и температуры. Рассмотрение проводится в условиях, характерных для полупроводниковых квантовых генераторов.