Аннотация:
Предложен метод изготовления полупроводниковых лазеров на GaAs с шириной области генерации в несколько микрон. Исследованы излучательные характеристики таких лазеров. Их особенностью является работа в одномодовом режиме генерации при 3–4-кратном превышении порога.
УДК:
621.378.325
PACS:42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf
Поступила в редакцию: 25.09.1972 Исправленный вариант: 06.07.1973