RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1973, номер 6(18), страницы 117–119 (Mi qe5656)

Краткие сообщения

Одноканальный инжекционный лазер с областью свечения в несколько микрон

Н. П. Иванов, А. И. Красильников, В. Ф. Литвинов, В. И. Молочев, В. В. Никитин, А. С. Семенов


Аннотация: Предложен метод изготовления полупроводниковых лазеров на GaAs с шириной области генерации в несколько микрон. Исследованы излучательные характеристики таких лазеров. Их особенностью является работа в одномодовом режиме генерации при 3–4-кратном превышении порога.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 25.09.1972
Исправленный вариант: 06.07.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 3:6, 525–526


© МИАН, 2024