К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах

Теоретически исследуется коэффициент усиления света на межзонных переходах в сильнолегированных полупроводниках. Получены аналитические выражения для коэффициента усиления и квазиуровней Ферми при различных типах легирования в зависимости от концентрации примесей, температуры и мощности накачки.