Влияние поверхности на деградацию в двойных гетероструктурах InGaAsP/InP

Исследовались деградационные явления в светоизлучающих диодах типа диодов Барраса на основе InGaAsP/InP при повышенной температуре и постоянном токе. Обнаружены типичные изменения БАХ и БтАХ, которые можно объяснить с помощью поверхностных явлений. Полученные результаты согласуются с более ранними результатами лазерных диодов на основе InGaAsP/InP. В большинстве случаев наблюдалась корреляция между возрастанием поверхностного тока и деградацией, характеризующейся энергией активации около 0,6 эВ.