RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 7, страницы 1486–1488 (Mi qe5711)

Краткие сообщения

Катодолюминесценция эпитаксиальных слоев Pb1–xSnxTe с градиентом состава в плоскости роста

А. Н. Власов, В. И. Стафеев, А. И. Уваров, Е. М. Кистова, А. Н. Лихолетов, М. А. Константинова


Аннотация: Пересублимацией в потоке водорода получены эпитаксиальные слои Pb1–xSnxTe как постоянного состава, так и с градиентом состава в плоскости роста. Интегральная интенсивность излучения сравнима с интенсивностью излучения теллурида свинца для составов x = 0–0,05 мол. доли SnTe. Оптимальная температура выращивания составляла 780–790 °C при перепаде температур между источником и подложкой около 10 °C. Длина волны излучения вдоль градиента состава изменялась от 5 до 15 мкм при температуре 90 K.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 78.60.Hk, 68.55.+b

Поступила в редакцию: 10.06.1981
Исправленный вариант: 15.09.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:7, 949–951

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024