Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, И. Т. Рассохин, А. Ф. Узкий, “Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 141

Краткие сообщения

Полупроводниковые лазеры с гетероструктурой при электронной накачке

Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, И. Т. Рассохин, А. Ф. Узкий

Аннотация: Сообщается о снижении порогового тока для образцов с волноводом и оптимальным легированием на GaAs по сравнению с пороговым током однородно легированных образцов. Достигнут порог генерации 0,15–0,2 А/см² для энергии возбуждающих электронов 30–50 кэВ при улучшенной внешней дифференциальной квантовой эффективности.

УДК: 621.378.35

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.60.Da, 42.79.Bh

Поступила в редакцию: 14.02.1972
Исправленный вариант: 30.07.1972