RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 8, страницы 1708–1710 (Mi qe5803)

Краткие сообщения

Влияние диффузии на насыщение усиления в газовых активных средах

А. И. Одинцов, В. А. Спажакин

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Проанализировано влияние диффузии возбужденных частиц в активной среде на характеристики насыщения усиления и выходную мощность газовых лазеров. Показано, что диффузия приводит к увеличению эффективной зоны взаимодействия активной среды с полем излучения. С хорошей точностью влияние диффузии на насыщение усиления можно учесть введением эффективного параметра насыщения, который определяется как характеристиками среды, так и геометрией системы. При более детальном рассмотрении надо учитывать искажение характеристик насыщения, которое наиболее заметно в том случае, когда «длина диффузии» сравнима с поперечным размером светового пучка. Вычисленные на основе полученных соотношений значения параметра насыщения согласуются с имеющимися экспериментальными результатами.

УДК: 621.375.826

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 22.10.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:8, 1096–1098

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024