RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 2, страницы 430–433 (Mi qe5912)

Краткие сообщения

Инжекционные лазеры на PbSnTe, полученные диффузией Sb

А. Л. Курбатов, М. В. Шубин, П. М. Старик, В. М. Маловецкая, А. Д. Бритов, Н. Д. Полчкова


Аннотация: Методом диффузии донорной примеси изготовлены лазерные диоды на основе PbSnTe (x =0,18–0,24), работающие в непрерывном режиме при 10 K. Исследовался спектр излучения лазеров и его зависимость от температуры и тока инжекции. Проведен ряд опытов по спектроскопии высокого разрешения с помощью полученных лазеров.

УДК: 621.375.826

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 22.06.1980
Исправленный вариант: 05.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:2, 264–266

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024