RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 4, страницы 523–527 (Mi qe5956)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Применения лазеров

Тепловой взрыв поглощающих включений как механизм лазерного разрушения поверхности диэлектрика

М. Ф. Колдунов, А. А. Маненков, И. Л. Покотило

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Анализируется задача о тепловом взрыве (ТВ) включения, находящегося в поверхностном слое диэлектрика. Найдены соотношения пороговых интенсивностей ТВ включения, находящегося в объеме диэлектрика и на его поверхности. Изучена кинетика развития ТВ. Исследуется статистика лазерного разрушения поверхности и зависимость порога ее разрушения от длительности импульса и размера области облучения. Результаты работы сопоставляются с экспериментальными данными.

УДК: 621.373.826

PACS: 61.80.Ba, 61.82.Ms

Поступила в редакцию: 10.03.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:4, 456–460

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024