RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 9, страницы 1902–1904 (Mi qe6015)

Краткие сообщения

О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP

Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко

Физический институт им. П. H. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Изучено влияние температуры на порог генерации и наклон ватт-амперной характеристики инжекционных лазеров в диапазоне длин волн 0,96–1,33 мкм (интервал температур 100–355 K). Значение константы T0 температурной зависимости порога увеличивается с ростом скачка ширины запрещенной зоны Δ E в гетеропереходе при Δ E ≤ 0,2–0,3 эВ, при бóльших Δ E рост T0 не наблюдается, причем высокотемпературное значение T0 составляет в среднем около 60 K. Сравнение температурных зависимостей порога и дифференциальной эффективности приводит к выводу, что преобладающим фактором роста порога является безызлучательная рекомбинация; наряду с этим рост оптического поглощения приводит к температурному уменьшению наклона ватт-амперной характеристики.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.He

Поступила в редакцию: 06.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:9, 1237–1238

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024