RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 10, страницы 2097–2099 (Mi qe6069)

Краткие сообщения

Измерение абсолютной интенсивности послесвечения при импульсном фотолизе паров теллура

А. П. Убелис, А. Э. Лездинь

Латвийский государственный университет им. П. Стучки, Рига

Аннотация: Исследовалось спектральное распределение интенсивности послесвечения паров теллура в абсолютных единицах. Измерения проводились на установке высокотемпературного импульсного фотолиза при давлении паров теллура 0,23 мм рт. ст., давлении ксенона 20 мм рт. ст. и температуре кюветы 950 K. Предполагается, что послесвечение вызвано фоторекомбинацией атомов теллура в основном состоянии 3P0,1,2. Оценена нижняя граница коэффициента фоторекомбинации – 2,65×10–16см3/молек·с.

УДК: 535.379

PACS: 32.70.Fw, 32.50.+d, 82.40.Py, 51.70.+f

Поступила в редакцию: 09.02.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:10, 1364–1365

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024