RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 11, страницы 2167–2172 (Mi qe6087)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Оптимальный режим формирования топологического рисунка при лазерной обработке пленок

В. П. Вейко, И. М. Карпман, М. Н. Либенсон, Е. Б. Яковлев

Ленинградский институт точной механики и оптики

Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования физико-технологических закономерностей образования отдельных прецизионных элементов в тонкой пленке и синтеза из этих элементов рисунка контурно-проекционным способом. Изучено влияние степени перекрытия соседних элементов на качество синтезируемого рисунка. На основании полученных результатов установлены принципиальные ограничения рассмотренного метода. Предложен способ выбора оптимального режима обработки.

УДК: 621.373.826

PACS: 68.55.+b, 79.20.Ds, 78.90.+t, 81.40.-z

Поступила в редакцию: 30.11.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:11, 1408–1411

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024