RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 2, страницы 137–142 (Mi qe609)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Рентгеноспектроскопическое исследование стабилизации плазменного столба в комбинированном Z-пинче

Т. А. Шелковенкоa, И. Ю. Скобелевb, С. А. Пикузa, Б. Этлишерc, А. Я. Фаеновb, С. Аттеланc, В. М. Романоваa, А. С. Чуватинc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, п. Менделеево, Московская обл.
c Ecole Politechnique, Palaiseau, France

Аннотация: На установке GAEL (225 кА, 50 нс) методами рентгеновской спектроскопии экспериментально исследована стабилизация Z-пинча с комбинированной нагрузкой. Выполнены кинетические расчеты интенсивности линий L-спектра меди и на их основе впервые измерены параметры плазмы (Ne  ≈ (1 – 2)·1020 см–3, Te ≈ 300 кэВ), образующейся при инжекции цилиндрической плазменной алюминиевой струи на осевую медную проволочку. Качественно и количественно проанализирована стабилизация Z-пинча с комбинированной нагрузкой. Спектроскопическими методами показано стабилизирующее влияние плазменной струи. Продемонстрирована возможность создания однородного высокотемпературного плазменного столба.

PACS: 52.70.La, 52.35.-g, 42.55.Vc

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:2, 133–138

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024