RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 9, страницы 1722–1736 (Mi qe6101)

Эта публикация цитируется в 33 статьях

Электроионизационный ИК лазер на атомах Хе

Н. Г. Басов, В. А. Данилычев, А. Ю. Дудин, Д. А. Заярный, Н. Н. Устиновский, И. В. Холин, А. Ю. Чугунов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследуется мощный электроионизационный (ЭИ) лазер высокого давления на переходах 5d–6p и 7p–7s атома Хе с объемом активной области 9 л. Получены зависимости электрических параметров ЭИ разряда, энергетических параметров и спектрального состава выходного излучения от вида буферного газа, параметров разрядного контура, соотношения компонентов и давления рабочей смеси. При накачке только электронным пучком с плотностью тока ~6 А/см2 и длительностью импульса 0,7 мкс энергия генерации составила ~6 Дж (КПД ≈ 1,5 %), при ЭИ накачке – примерно 20 Дж. Физический КПД генерации за счет электрического поля составляет ~5 %. Обсуждаются механизмы образования проводимости в активной среде и кинетика заселения уровней лазерных переходов.

УДК: 621.378.33

PACS: 03.75.Pp, 42.60.Jf, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 18.01.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:9, 1158–1167

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024