RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 289–293 (Mi qe6115)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Усиление света на переходах Н-ионов в низкотемпературной плазме

А. В. Боровский, В. В. Коробкин, Ч. К. Мухтаров

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрена аналитическая теория рекомбинационной накачки Н-ионов в низкотемпературной плазме. Получена простая формула для коэффициента усиления. Развитая теория дает возможность провести анализ коэффициентов усиления в наиболее интересной для приложений области низких температур плазмы.

УДК: 621.373.826:533.9

PACS: 42.50.Gy, 32.80.Bx, 52.70.Kz

Поступила в редакцию: 11.03.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:2, 185–188

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024