В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 9:11 (1982), 2211

Исследование непрерывного режима генерации в лазере на основе GaAs с накачкой электронным пучком

В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследований зависимости мощностных и пороговых характеристик непрерывного GaAs-лазера с электронной накачкой от концентрации и типа легирующей примеси, толщины полупроводниковой пластинки, коэффициента отражения зеркальных покрытий, диаметра электронного пучка и температуры криостата. Достигнута мощность излучения 20 мВт с расходимостью менее 10° и шириной спектра не более 1 нм.

УДК: 631.378.35

PACS: 42.60.By, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 18.12.1981