RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 367–369 (Mi qe6137)

Краткие сообщения

Исследование механизмов многомодовой генерации инжекционных лазеров на двойной гетероструктуре AlGaAs с узким полосковым контактом

Ю. Л. Бессонов, С. С. Курленков, В. Н. Морозов, С. М. Сапожников, Чан Минь Тхай, В. Р. Шидловский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовались спектральные характеристики планарных полосковых лазеров на гетероструктуре AlGaAs с шириной контакта 6–8 мкм. Показано, что спектр излучения в стационарном режиме генерации может быть многомодовым, что является следствием высокого уровня спонтанного излучения в моду генерации. В этом случае спектр излучения сужается с увеличением мощности – в пределе до одномодового. Однако при наличии автомодуляционных процессов многомодовость спектра излучения объясняется нестационарной теорией и ширина спектра увеличивается с увеличением мощности.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 13.03.1984
Исправленный вариант: 10.07.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:2, 234–236

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024