Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Рассчитана оптическая накачка слабо инжектированного участка двухкомпонентного полупроводникового лазера излучением сильно инжектированного участка в допороговом режиме. Экспериментально определено соотношение оптической и гальванической связи между участками. Проведено сравнение пороговых характеристик гомо- и гетеролазеров с неоднородным возбуждением.