RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 11, страницы 2329–2330 (Mi qe6179)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Создание и исследование тонкопленочных волноводов на основе CdSxSe1–x

З. Э. Буачидзе, И. В. Василищева, В. Н. Морозов, В. А. Плетнев, А. С. Семенов, П. В. Шапкин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Методом диффузии созданы и исследованы волноводы на основе твердых растворов CdSxSe1–x с потерями 9–13 дБ/см. Определен профиль показателя преломления этих волноводов. Фотохимическим травлением на поверхности волноводов записаны дифракционные решетки с разрешением 103 лин/мм с глубиной гофра 40 нм.

УДК: 621.372.8.029.7

PACS: 42.80.Lt, 42.80.Fn

Поступила в редакцию: 25.06.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:11, 1514–1516

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024