Узкополосный пикосекундный параметрический генератор света с инжекцией перестраиваемого по частоте излучения полупроводникового лазера

Реализован узкополосный пикосекундный параметрический генератор света с инжекцией затравочного излучения от полупроводникового лазера на GaAs при накачке импульсами второй гармоники лазера на гранате длительностью 40 пс. Получены перестраиваемые по частоте вблизи λ _s = 0,85 мкм и λ_х = 1,4 мкм пикосекундные импульсы, близкие к спектрально-ограниченным, с Δν = 0,6см^–1 и энергией 50 мкДж.