RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 12, страницы 2480–2486 (Mi qe6241)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Влияние лазерного излучения на спектры наведенного поглощения волоконных световодов на основе чистого кварцевого стекла

Е. М. Дианов, В. Н. Карпечев, Л. С. Корниенко, А. О. Рыбалтовский, П. В. Чернов

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние лазерного излучения на радиационные центры окраски стеклянных волоконных световодов типа SiO2–SiO2:B2O3. Получены спектры наведенного поглощения в диапазоне длин волн 300–1900 нм при изменении дозы γ-облучения от 300 до 104 рад и температурах облучения 77 и 300 K. Выделено восемь типов радиационных центров окраски, из спектров поглощения которых практически полностью состоят спектры наведенного поглощения световодов. Эти центры различаются стойкостью к воздействию лазерного излучения и температуры. Обнаружен эффект возникновения ИК поглощения при разложении полосы наведенного поглощения 340 нм лазерным излучением с λ = 337 нм и последующего восстановления этой полосы при комнатной температуре.

УДК: 621.373.826:681.7.068.4

PACS: 42.81.Qb, 42.70.Ce, 78.40.Pg

Поступила в редакцию: 03.11.1983
Исправленный вариант: 12.03.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, 14:12, 1637–1641

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024