RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 2, страницы 422–425 (Mi qe6243)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Особенности кинетики генерации неодимового лазера при импульсной селективной накачке

Н. Е. Быковский, В. В. Иванов, Ю. В. Сенатский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрена кинетика генерации неодимового лазера при импульсной селективной накачке. Установлено влияние процессов релаксации энергии возбуждения на форму импульсов генерации при накачке образцов неодимовых стекол в резонаторах с короткой базой импульсами излучения с длительностью 2 нс и длиной волны 0,53 мкм. Построена численная модель, описывающая кинетику генерации неодимовых лазеров при импульсной селективной накачке. В силикатном (ГЛС14) и фосфатном (КНФС) неодимовых стеклах оценены времена релаксации энергии возбуждения с уровней 4G 7/2 на метастабильный уровень 4F3/2 ионов Nd3+.

УДК: 621.373.826.038.825.3

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Da, 42.60.Jf, 42.70.Ce, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 14.05.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:2, 280–282

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024