RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 12, страницы 2531–2533 (Mi qe6314)

Эта публикация цитируется в 30 статьях

Краткие сообщения

Активные среды для высокоэффективных неодимовых лазеров с неселективной накачкой

Е. В. Жариков, В. А. Житнюк, Г. М. Зверев, С. П. Калитин, И. И. Куратев, В. В. Лаптев, А. М. Онищенко, В. В. Осико, В. А. Пашков, А. С. Пименов, A. М. Прохоров, В. А. Смирнов, М. Ф. Стельмах, А. В. Шестаков, И. А. Щербаков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведены сравнительные генерационные испытания различных кристаллических активных сред для неодимовых лазеров с неселективной накачкой в режимах свободной генерации и модуляции добротности. Показано, что наилучшие выходные характеристики имеет лазер на основе кристалла гадолиний – скандий – галлиевого граната (ГСГГ), в котором используется эффект сенсибилизации люминесценции ионов Nd3+ ионами Cr3+. Сделан вывод о том, что выходные характеристики неодимовых лазеров могут быть существенно улучшены при замене широко применяемого кристалла ИАГ – Nd3+ кристаллом ГСГГ – Cr3+ – Nd3+.

УДК: 621.373.826.038.825.3

PACS: 42.55.Rz, 42.60.He

Поступила в редакцию: 19.07.1982


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:12, 1652–1653

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024