Аннотация:
Разработан источник оптической накачки на основе секционированного низковольтного разряда с яркостной температурой Tя ≈ 30 кК в области 150–250 нм и малым разбросом по времени срабатывания отдельных секций (< 0,25 мкс). Исследуются характеристики XeF (C–A)-лазера (λ = 490 нм) с накачкой от разработанного источника. Длительность импульса генерации составила 1,5 мкс, ширина спектра генерации ~30 нм.