RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 4, страницы 745–750 (Mi qe6445)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Влияние дислокаций на характеристики лазерных экранов из CdS

В. И. Козловский, А. С. Насибов, П. В. Резников

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследована зависимость характеристик лазерного экрана из CdS при 80 K от плотности ростовых дислокаций в пределах 5·10 – 2·107 см–2 и механически введенных дислокаций с плотностью до 6·107 см–2. Показано, что влияние плотности дислокаций на характеристики лазерного экрана при больших уровнях возбуждения зависит от состояния оборванных связей и не зависит от типа дислокаций.

УДК: 621.378.35:621.315.592

PACS: 42.55.Px, 61.70.Le

Поступила в редакцию: 06.07.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:4, 450–453

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024