Высокоэффективный полупроводниковый лазер с продольной накачкой арсенида галлия сканирующим электронным пучком

Приведены характеристики эффективности лазерных элементов из арсенида галлия с разной толщиной кристалла при энергии электронов 50 и 75 кэВ и температуре 80 и 300 K. Внутренняя дифференциальная эффективность лазера достигает 24 ± 5 % при 80 K и 7,1 ± 1,5 % при 300 K. Показано, что при интенсивности излучения лазера 10⁵ Вт/см² и более имеет место просветление пассивной части резонатора, благодаря чему и реализуется высокая эффективность лазера.