М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф, “Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 190

Краткие сообщения

Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда

М. В. Долгов, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Н. Селезнев, И. В. Ербен, В. Шарф, А. Вольф

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы характеристики переключения и фоточувствительность реверсивной запоминающей оптоэлектронной среды на базе планарных МДПДМ-структур. Оценки показывают, что информация в такой среде может записываться с плотностью больше чем 10⁷ бит/см и с энергией для записи одного бита информации около 2·10^–13 Дж.

УДК: 621.383:621.3.037.732

PACS: 42.70.Ln, 42.79.Vb, 73.40.Qv

Поступила в редакцию: 07.02.1986