Имплантация легирующих примесей в InSb с помощью лазерного излучения

Рассмотрены процессы, возникающие при лазерной имплантации атомов теллура и селена в антимонид индия. Изучены топография поверхности после облучения, профили внедренных атомов, электрофизические характеристики получаемых переходов в антимониде индия. Обсуждаются возможные механизмы диффузии примесных атомов при различных толщинах пленок диффузанта и плотности энергии излучения.