Быстродействующие фотодетекторы с большой площадью активной области на основе полупроводниковых структур с барьером Шоттки

В рамках двумерной модели исследуются характеристики импульсного отклика и эффективности МПМ (металл – полупроводник – металл)-фотодиодных структур на GaAs с размером активной области 400 × 400 мкм и межконтактным расстоянием 10 мкм. Увеличение межэлектродного зазора обеспечивает достаточно однородное распределение электрического поля в активной области МПМ-диода. При этом емкость встречно-штыревой системы контактов на основе барьера Шоттки существенно ниже емкости равного ей по площади pin-фотодетектора и практически не накладывает ограничений на характеристики импульсного отклика МПМ-диода. Расчетное быстродействие исследуемой фотодиодной структуры (110 пс по полувысоте) подтверждено в эксперименте.