Лазерная накачка дислокаций и механизм анизотропного плавления поверхности полупроводников

Рассмотрен вакансионно-деформационный механизм лазерной генерации дислокаций за счет конденсации лазерно-индуцированных вакансий при превышении определенной критической их плотности. Развитая теория позволяет оценить радиус образующихся дислокационных петель и их плотность. На основе полученных результатов проведена интерпретация анизотропного лазерного плавления поверхности полупроводников.