RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 4, страницы 855–857 (Mi qe6555)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Исследование влияния нестабильных дефектов на процесс генерации лазерного излучения в YAG:Nd3+

В. М. Гармаш, Г. А. Ермаков, В. М. Любченко, А. А. Филимонов


Аннотация: Исследовано влияние нестабильных дефектов на процесс генерирования лазерного излучения на кристаллах YAG:Nd3+. Показано, что F+-центры и примесные ионы железа являются основными типами нестабильных дефектов. Обнаружено, что влияние этих типов дефектов на процесс генерации проявляется в различных температурных областях. В области температур 287–312K доминируют F+-центры, а выше 312K – примесные ионы железа.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.70.Hj, 61.72.Ji

Поступила в редакцию: 27.08.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:4, 558–560

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024