RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 6, страницы 559–562 (Mi qe6595)

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Световоды. Интегрально-оптические волноводы

Усилительные свойства активных световодов с высокой концентрацией ионов эрбия

А. Ю. Плоцкийa, А. С. Курковa, М. Ю. Яшковa, М. М. Бубновa, М. Е. Лихачевa, А. А. Сысолятинa, А. Н. Гурьяновb, Е. М. Диановa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт химии высокочистых веществ РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Для световодов с сердцевиной на основе алюмосиликатного стекла, легированного ионами эрбия с концентрациями в диапазоне 3 × 1018–1020 см-3, измерена относительная концентрация ионов эрбия, безызлучательно релаксирующих на основной уровень из-за взаимодействия на метастабильном уровне. Определена зависимость доли таких ионов от концентрации Er3+ для световодов с различным содержанием оксида алюминия в сердцевине. Показано, что увеличение концентрации Al2O3 существенно снижает долю ионов эрбия, не участвующих в процессе усиления. Установлено, что кластеризация приводит к существенному падению коэффициента усиления активных световодов с высокой концентрацией Er3+. На основании проведенных измерений построена зависимость квантовой эффективности волоконного усилителя от концентрации ионов эрбия. Данная зависимость может быть использована для оптимизации параметров эрбиевых волоконных усилителей.

PACS: 41.81.Cn, 41.81.Wg

Поступила в редакцию: 25.03.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:6, 559–562

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024