Квантовая электроника,
1990, том 17, номер 6, страницы 705–706
(Mi qe6661)
|
Лазеры
Возбуждение полупроводникового GaAlAs-лазера пикосекундными импульсами от оптоэлектронного переключателя
Х. Бергнер,
П. П. Васильев,
Д. Грозеник,
Э. Клозе,
А. В. Конященко,
М. Лензнер,
А. Б. Сергеев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследованы пикосекундные оптические импульсы, генерируемые инжекционным полупроводниковым лазером, возбуждаемым оптоэлектронным переключателем. Переключение осуществлялось пикосекундным ИАГ лазером. При использовании переключателей из Cr:GaAs с зазором, частично закрытым красителем, получались электрические импульсы длительностью короче 40 пс по полувысоте. Им соответствовали одиночные (без релаксационных осцилляции) оптические импульсы
длительностью 40 пс.
УДК:
621.373.826.038.825.4
PACS:
42.55.Px,
42.65.Re,
42.70.Nq,
42.70.Hj,
85.60.-q Поступила в редакцию: 13.10.1989
© , 2024