RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 3, страницы 573–578 (Mi qe6733)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Концентрация радикалов CN в плазме лазера на окиси углерода

В. Н. Очкин, С. Ю. Савинов, Н. Н. Соболев, Э. А. Трубачеев


Аннотация: Проведены измерения концентраций радикалов CN в плазме разряда СО-лазера методом линейчатого поглощения. Количество молекул CN меняется в пределах 1011… 2·1012 см–3 и зависит от параметров разряда и состава исходных газовых смесей. Добавки небольших количеств кислорода резко снижают концентрацию CN. Показано, что наличие CN в разряде приводит к уменьшению мощности генерации. Выделены области режимов работы лазера, в которых влияние CN на генерацию несущественно.

УДК: 621.378.33+533.9

PACS: 52.50.Jm, 52.38.Dx, 42.55.Lt, 42.60.Jf, 52.80.-s, 82.33.Xj

Поступила в редакцию: 19.10.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 4:3, 319–321


© МИАН, 2024