RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 3, страницы 629–633 (Mi qe6741)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Влияние ширины линии накачки на генерацию при вынужденном комбинационном рассеянии

И. Г. Зубарев, С. И. Михайлов


Аннотация: Исследована зависимость эффективности генерации лазера на ВКР от ширины линии возбуждающего излучения $\Delta\nu_{\text{н}}$. Показано, что к. п. д. генерации остается постоянным вплоть до $\Delta\nu_{\text{н}}\lesssim2\Delta\nu_{\text{л}}$ (где $2\Delta\nu_{\text{л}}$ – ширина линии спонтанного рассеяния). Когда $\Delta\nu_{\text{н}}\gtrsim10\Delta\nu_{\text{л}}$, к. п. д. генерации падает на порядок.

УДК: 621.378:535.375

PACS: 42.55.Ye, 42.60.Jf, 42.60.Lh, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 14.11.1973


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1974, 4:3, 351–353


© МИАН, 2024