Перегрев электронно-дырочной плазмы в активном элементе полупроводникового лазера с внешней накачкой

С учетом разогрева фононов нескольких поколений рассмотрен баланс мощности, определяющий энергетический спектр неравновесной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) в активном элементе полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком. Показано, что в неохлаждаемом импульсном лазере на кристалле CdS усиление колебаний решетки в ограниченном наборе мод может привести к перегреву ЭДП на ~100 K.