О пределах применимости модели однородно-уширенной линии генерации на основе CdS

Преобразование модели неоднородно-уширенной линии излучения полупроводникового лазера с электронной накачкой для случая, когда населенность излучательного уровня близка к равновесной, проводится так, что все параметры, входящие в преобразованную систему могут быть легко измерены экспериментально. Анализируются пределы применения моделей с неоднородно-уширенной линией генерации.