RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1990, том 17, номер 7, страницы 892–893 (Mi qe6832)

Активные среды

О возможности использования одного совпадения длин волн спектральных линий накачки и активной среды в ВУФ диапазоне

А. В. Виноградов, Т. А. Юдина, Е. А. Юков

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Исследована возможность получения инверсной населенности на переходах иона кислорода ОIII, накачиваемого резонансной линией иона НеII (λ = 30,4 нм). В расчетах используется радиационно-столкновительная модель. Совпадение длин волн накачки и активной среды достигается за счет использования изотопа 3HeII. Показано, что на ряде 3–3 переходов иона ОIII существует инверсия. При электронной плотности Ne ~1016см-3 и электронной температуре Te ~3–4 эВ на длине волны λ = 344,4 нм может быть получено усиление kω ~ 0.1–1 cm – 1.

УДК: 621.373.826

PACS: 32.80.Bx, 32.80.Rm, 32.30.Jc, 52.80.Tn

Поступила в редакцию: 12.01.1990


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1990, 20:7, 815–816

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024