RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 5, страницы 1070–1072 (Mi qe6865)

Краткие сообщения

Исследование ширины линии генерации одночастотных инжекционных лазеров на GaAlAs

Ю. Л. Бессонов, Н. Б. Корнилова, В. Д. Курносов, В. Н. Морозов, В. Р. Шидловский

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проведено исследование ширины линии генерации одночастотных GaAlAs-гетеролазеров различных типов. Показано, что отсутствие бокового оптического ограничения приводит к существенному уширению линии генерации. Предложено объяснение наблюдаемого уширения линии в лазерах с направляющим эффектом усиления через увеличение уровня спонтанного фона в моду в таких лазерах.

УДК: 621.383.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 08.04.1985
Исправленный вариант: 18.11.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:5, 705–707

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024