Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Проведены измерения спектров генерации с разрешением 50 МГц двух типов одномодовых гетеролазеров на основе InP–(InGa)AsP-структур в условиях модуляции малым сигналом, налагаемым на постоянный ток инжекции. Получены зависимости коэффициента частотной модуляции от частоты модулирующего сигнала в диапазоне 102–3·109 Гц. Показано, что на ход этой зависимости заметно влияют структура и способ монтажа активного элемента.