RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 6, страницы 1292–1294 (Mi qe6950)

Краткие сообщения

Влияние инжекции внешнего излучения на генерацию TEA лазера с неустойчивым резонатором

А. М. Оришич, В. Г. Посух, В. Н. Снытников

Институт теоретической и прикладной механики СО АН СССР, Новосибирск

Аннотация: Экспериментально исследована перестройка формы импульса CO2-лазера при инжекции излучения 10,6 мкм в выходную апертуру телескопического резонатора. Показано существование диапазона мощности внешнего сигнала, в котором изменение формы импульса генерации происходит без увеличения расходимости. Получено возрастание чувствительности лазера к внешнему излучению более чем в 104 раз по сравнению с традиционными схемами инжекционного управления.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Da, 42.60.Jf, 42.65.Re, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 21.10.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:6, 849–851

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024