RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1095–1098 (Mi qe6954)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs

В. Н. Лукьянов, А. Т. Семенов, А. Ф. Солодков, С. Д. Якубович

Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва

Аннотация: Проведено теоретическое и экспериментальное исследование динамических характеристик инжекционного полупроводникового усилителя (ПУ) излучения в линейном режиме и при насыщении по входному сигналу. Показано, что в нелинейном режиме быстродействие ПУ ограничено при импульсно-кодовой модуляции величиной порядка времени спонтанной рекомбинации. Указаны некоторые возможности использования нелинейного режима работы ПУ в быстродействующих системах связи.

УДК: 621.375.8.038.825.4

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 15.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 650–652

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024