RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 5, страницы 1106–1108 (Mi qe6961)

Краткие сообщения

Исследование микроразрушений диэлектрических покрытий при лазерном облучении

М. Б. Свечников, Л. С. Вахмянина


Аннотация: Экспериментально исследовано поведение микродефектов диэлектрических покрытий, изготовленных из тугоплавких окислов и сульфид-фторидов, в предпороговых режимах лазерного облучения. Полученные данные наглядно демонстрируют, что центрами развития оптического пробоя в покрытиях из ZnS и SrF2 (или MgF2) являются сильно поглощающие микронеоднородности, тогда как в покрытиях, изготовленных из ZrO2 и SiO2, ни концентрация микронеоднородностей (> 1 мкм), ни их размеры не изменяются под действием импульса (или серии импульсов) с плотностью мощности чуть ниже пороговой.

УДК: 621.373.826

PACS: 42.78.Hk, 61.80.-x, 42.60.He

Поступила в редакцию: 30.12.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:5, 658–659

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024