Влияние электрон-фононного взаимодействия на инверсную населенность в полупроводниковых сверхрешетке и размерно-квантованной пленке в магнитном поле

Получены аналитические выражения для коэффициента излучения фононов на переходах между магнитопленочными уровнями и магнитоакустическими подзонами, а также коэффициента поглощения электромагнитного излучения в условиях электрон-фононного взаимодействия. Показано, что рассмотренные переходы при определенных условиях не могут повлиять на условия самовозбуждения полупроводникового лазера.