Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Исследованы характеристики лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе GaSb. При охлаждении кристалла жидким азотом достигнута мощность 1,1 Вт (КПД ≈ З,3 %) в лазере с накачкой сканирующим пучком и 5 мВт (КПД ≈ 1,3 %) в непрерывном лазере. В непрерывном лазере осуществлена плавная перестройка длины волны генерации в диапазоне 1,57–1,65 мкм.